Microchip / Microsemi
1214-30
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.2～1.4 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 20、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 55AW-1 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Microchip
- 品牌
- Microchip / Microsemi
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- 55AW-1
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
13 项参数- 晶体管类型
- Bipolar
- 技术
- Si
- 晶体管极性
- NPN
- 最小直流电流增益（hfe）
- 20
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 50 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 3.5 V
- 连续集电极电流
- 4 A
- 最大工作温度
- + 200 C
- 配置
- Single
- 工作频率
- 1.2～1.4 GHz
- 输出功率
- 30 W
- 最大直流集电极电流
- 4 A
展开更多参数（1 项）
- 耗散功率（Pd）
- 88 W
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。