Toshiba
2SC5086-Y,LF
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、最小工作温度 - 55 C，采用 SC-75-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Toshiba
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- 2SC5086
- 封装
- SC-75-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
12 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- NPN
- 最小直流电流增益（hfe）
- 80
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 12 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 3 V
- 工作温度范围
- -55～125 °C
- 配置
- Single
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 20 V
- 最大直流电流增益（hFE）
- 240 at 20 mA at 10 V
- 增益带宽积（fT）
- 7 GHz
- 最大直流集电极电流
- 80 mA
- 耗散功率（Pd）
- 100 mW
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。