STMicroelectronics
STBV32-AP
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V，采用 TO-92AP 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- STMicroelectronics
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- STBV32
- 封装
- TO-92AP
- 安装方式
- 通孔安装
技术参数
15 项参数- 晶体管类型
- Bipolar
- 技术
- Si
- 晶体管极性
- NPN
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 400 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 9 V
- 连续集电极电流
- 1.5 A
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 配置
- Single
- 最大直流电流增益（hFE）
- 20
- 高度
- 4.5 mm
- 长度
- 4.8 mm
- 类型
- RF Bipolar Small Signal
展开更多参数（3 项）
- 宽度
- 3.8 mm
- 最大直流集电极电流
- 1.5 A
- 耗散功率（Pd）
- 1500 mW
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。