BFP181E7764HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-143-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 181 BFP BFP181E7764XT E7764 SP000011013，采用 SOT-143-4 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MRF5943
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：SO-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 25、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V，采用 SO-8 封装。BFR35APE6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 35AP BFR BFR35APE6327XT E6327 SP000011060、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BFU710F,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-343
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 110 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Silicon Germanium、最小直流电流增益（hfe） 200、最大集电极－发射极电压（VCEO） 2.8 V，采用 SOT-343 封装。BFR 181W H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 8 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 70，采用 SOT-323 封装。BFP182WH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、发射极－基极电压（VEBO） 2 V、连续集电极电流 35 mA，采用 SOT-343-4 封装。BFR740L3RHE6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSLP-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 40 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 160、最大集电极－发射极电压（VCEO） 4 V，采用 TSLP-3 封装。BFP840ESDH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 80 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Silicon Germanium、最大集电极－发射极电压（VCEO） 2.25 V、发射极－基极电压（VEBO） 2.9 V，采用 SOT-343-4 封装。SD1224-02
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：M113
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 5，采用 M113 封装。BFR 181 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23 封装。BFP193WH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 193W BFP BFP193WH6327XT H6327 SP000745248、单件重量 0.000238 oz，采用 SOT-343-4 封装。BFP 450 H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-343
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 24 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 60，采用 SOT-343 封装。BFS 17W H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 20，采用 SOT-323 封装。BFS19,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 260 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V，采用 SOT-23-3 封装。HFA3127BZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-Narrow-16
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 8000 MHz (Typ)、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 40，采用 SOIC-Narrow-16 封装。BFP740H6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 740 BFP BFP74H6327XT H6327 SP000750414、单件重量 0.000226 oz，采用 SOT-343-4 封装。BFP640FH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSFP-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 640F BFP BFP64FH6327XT H6327 SP000750404，采用 TSFP-4 封装。BFP 196W H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-343
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、发射极－基极电压（VEBO） 2 V，采用 SOT-343 封装。BFU550WX
NXP Semiconductors · 封装：SOT323-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Wideband、类型 Wideband RF Transistor、晶体管极性 NPN，采用 SOT323-3 封装。BFR 35AP E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 5000 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V，采用 SOT-23 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。