ChipSourceHub 美芯科技

Infineon Technologies

BFP182WH6327XTSA1

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益(hfe) 70、最大集电极-发射极电压(VCEO) 12 V、发射极-基极电压(VEBO) 2 V、连续集电极电流 35 mA,采用 SOT-343-4 封装。

基本资料

查看数据手册 ↗
制造商
Infineon
品牌
Infineon Technologies
产品类别
晶体管
封装
SOT-343-4
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

10 项参数
技术
Si
晶体管极性
NPN
最小直流电流增益(hfe)
70
最大集电极-发射极电压(VCEO)
12 V
发射极-基极电压(VEBO)
2 V
连续集电极电流
35 mA
工作温度范围
-65~150 °C
最大直流集电极电流
35 mA
型号别名
182W BFP H6327 SP000745176
单件重量
0.000237 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

BFP182WH6327XTSA1 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技