Infineon Technologies
BFR 35AP E6327
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 5000 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V，采用 SOT-23 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- BFR35
- 封装
- SOT-23
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
18 项参数- 晶体管类型
- Bipolar
- 技术
- Si
- 晶体管极性
- NPN
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 15 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 2.5 V
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 配置
- Single
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 20 V
- 最大直流电流增益（hFE）
- 70 at 15 mA at 8 V
- 高度
- 1 mm
- 长度
- 2.9 mm
- 工作频率
- 5000 MHz
展开更多参数（6 项）
- 类型
- RF Bipolar Small Signal
- 宽度
- 1.3 mm
- 最大直流集电极电流
- 0.045 A
- 耗散功率（Pd）
- 280 mW
- 型号别名
- BFR35APE6327HTSA1 BFR35APE6327XT SP000011060
- 单件重量
- 0.000282 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。