Advanced Semiconductor, Inc.
MRF5943
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 25、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V，采用 SO-8 封装。
基本资料
- 品牌 / 制造商
- Advanced Semiconductor, Inc.
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- SO-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 托盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
13 项参数- 晶体管类型
- Bipolar Power
- 技术
- Si
- 晶体管极性
- NPN
- 最小直流电流增益（hfe）
- 25
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 30 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 3.5 V
- 连续集电极电流
- 400 mA
- 最大工作温度
- + 150 C
- 配置
- Single
- 类型
- RF Bipolar Power
- 增益带宽积（fT）
- 1.3 GHz
- 耗散功率（Pd）
- 1 W
展开更多参数（1 项）
- 单件重量
- 0.017870 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。