BFP 181 E7764
Infineon Technologies · 封装：SOT-143-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 8 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V，采用 SOT-143-4 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录BFS17WH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 17W BFS BFS17WH6327XT H6327 SP000750450、单件重量 0.000176 oz，采用 SOT-323-3 封装。BFU768F,115
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 934066851115、单件重量 0.000235 oz。MCH4016-TL-H
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。2SC5108-Y,LF
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。BFP843H6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 843 BFP H6327 SP001062586，采用 SOT-343-4 封装。BF 771 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、发射极－基极电压（VEBO） 2 V、连续集电极电流 0.08 A，采用 SOT-23-3 封装。BFP 405 H6740
Infineon Technologies · 封装：SOT343-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 25 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 60，采用 SOT343-4 封装。BFP 640 H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-343
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 40 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Silicon Germanium、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 110，采用 SOT-343 封装。BFR 340F H6327
Infineon Technologies · 封装：TSFP-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.9 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 90，采用 TSFP-3 封装。BFU550XVL
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 934067708235、单件重量 0.000313 oz。BFP 183 E7764
Infineon Technologies · 封装：SOT-143-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 8 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 70，采用 SOT-143-4 封装。BFU530R
NXP Semiconductors · 封装：SOT143B-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Wideband、类型 Wideband RF Transistor、晶体管极性 NPN，采用 SOT143B-4 封装。55GN01CA-TB-E
ON Semiconductor · 封装：CP-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 + 25 C to + 150 C、工作频率 5.5 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN，采用 CP-3 封装。BFP520H6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 520 BFP BFP52H6327XT H6327 SP000745280、单件重量 0.000226 oz，采用 SOT-343-4 封装。BFP 720ESD H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-343
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 43 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Silicon Germanium、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 160，采用 SOT-343 封装。BFP740FESDH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSFP-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 740FESD BFP BFP74FESDH6327XT H6327 SP000890036、单件重量 0.000063 oz，采用 TSFP-4 封装。BFP 640FESD H6327
Infineon Technologies · 封装：TSFP-4-1
该型号为晶体管，主要参数包括技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Silicon Germanium、发射极－基极电压（VEBO） 4.8 V、连续集电极电流 50 mA、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 TSFP-4-1 封装。BFT25,215
NXP Semiconductors · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2300 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 20，采用 SOT-23 封装。BFP 740FESD H6327
Infineon Technologies · 封装：TSFP-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 47 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Silicon Germanium、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 160，采用 TSFP-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。