Infineon Technologies
BFP 640FESD H6327
该型号为晶体管，主要参数包括技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Silicon Germanium、发射极－基极电压（VEBO） 4.8 V、连续集电极电流 50 mA、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 TSFP-4-1 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- BFP640
- 封装
- TSFP-4-1
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
8 项参数- 晶体管类型
- Bipolar
- 技术
- SiGe
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 4.8 V
- 连续集电极电流
- 50 mA
- 类型
- RF Silicon Germanium
- 耗散功率（Pd）
- 200 mW
- 型号别名
- BFP640FESDH6327XTSA1 BFP64FESDH6327XT SP000890034
- 单件重量
- 0.000282 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。