Infineon Technologies
BF 771 E6327
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、发射极－基极电压（VEBO） 2 V、连续集电极电流 0.08 A，采用 SOT-23-3 封装。
基本资料
- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- BF771
- 封装
- SOT-23-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
17 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- NPN
- 最小直流电流增益（hfe）
- 70
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 12 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 2 V
- 连续集电极电流
- 0.08 A
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 配置
- Single
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 20 V
- 高度
- 1 mm
- 长度
- 2.9 mm
- 宽度
- 1.3 mm
展开更多参数（5 项）
- 增益带宽积（fT）
- 8000 MHz
- 最大直流集电极电流
- 0.08 A
- 耗散功率（Pd）
- 580 mW
- 型号别名
- BF771E6327HTSA1 BF771E6327XT SP000010967
- 单件重量
- 0.000282 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。