ON Semiconductor
55GN01CA-TB-E
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 + 25 C to + 150 C、工作频率 5.5 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN，采用 CP-3 封装。
基本资料
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- ON Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- 55GN01CA
- 封装
- CP-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
20 项参数- 晶体管类型
- Bipolar Power
- 技术
- Si
- 晶体管极性
- NPN
- 最小直流电流增益（hfe）
- 100
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 10 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 3 V
- 连续集电极电流
- 5 mA
- 工作温度范围
- 25～150 °C
- 配置
- Single
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 20 V
- 最大直流电流增益（hFE）
- 180
- 高度
- 1.1 mm
展开更多参数（8 项）
- 长度
- 2.9 mm
- 工作频率
- 5.5 GHz
- 工作温度范围
- + 25 C to + 150 C
- 类型
- RF Bipolar Power
- 宽度
- 1.5 mm
- 增益带宽积（fT）
- 4.5 GHz
- 最大直流集电极电流
- 70 mA
- 耗散功率（Pd）
- 200 mW
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。