ADL6337ACRZD
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.75～5.25 V、工作频率 4.4～5.2 GHz、类型 Variable Gain Amplifiers、工作电源电流 460 mA、增益 37.4 dB，采用 LFCSP-32 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录ADL7003CHIPS-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 50～95 GHz、测试频率 50～70 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 Die 封装。ADL7078ACPZN
Analog Devices · 封装：LFCSP-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 1～20 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 175 mA，采用 LFCSP-24 封装。ADL7078ACPZN-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 1～20 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 175 mA，采用 LFCSP-24 封装。ADL8100ACPZN-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3～6 V、工作频率 10 MHz to 6 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 220 mA，采用 LFCSP-8 封装。ADL8102ACPZN
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 1～22 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 110 mA，采用 LFCSP-16 封装。ADL8102ACPZN-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 1～22 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 110 mA，采用 LFCSP-16 封装。ADL8103ACPZN
Analog Devices · 封装：LFCSP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3～6 V、工作频率 6～8 GHz、技术 Si、类型 Low Noise Amplifiers、增益 27 dB，采用 LFCSP-8 封装。ADL8103ACPZN-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3～6 V、工作频率 6～8 GHz、技术 Si、类型 Low Noise Amplifiers、增益 27 dB，采用 LFCSP-8 封装。BGA7P220E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSNP-16
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、工作频率 2.3～2.7 GHz、技术 SiGe、类型 Power Amplifiers、增益 34.4 dB、噪声系数（NF） 3.5 dB，采用 TSNP-16 封装。BGA7P320E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSNP-16
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 3.15～3.45 V、工作频率 3.3～4.2 GHz、测试频率 1 MHz、技术 SiGe、类型 Power Amplifiers，采用 TSNP-16 封装。BGA824N6E6329XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSNP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 1.5～3.6 V、工作频率 1.164～1.615 GHz、测试频率 1.575 GHz、技术 SiGe、类型 Low Noise Amplifiers，采用 TSNP-6 封装。BGA8G1BN6E6327XTSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、型号别名 BGA 8G1BN6 E6327 SP001579870。BGA8L1BN6E6327XTSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、型号别名 BGA 8L1BN6 E6327 SP001495620。BGA9C1MN9E6327XTSA1
Infineon Technologies
主要参数包括工作电源电压 1.1～2 V、工作频率 4.4～5 GHz、测试频率 4.9 GHz、技术 SiGe、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 5.6 mA。BGA9H1BN6E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSNP-6-10
主要参数包括工作电源电压 1.1～3.3 V、工作频率 2.3～2.7 GHz、技术 Si、类型 General Purpose Amplifiers、工作电源电流 2.2 mA、增益 20.3 dB，采用 TSNP-6-10 封装。BGA9U1MN9E6327XTSA1
Infineon Technologies
主要参数包括型号别名 BGA 9U1MN9 E6327 SP005424808。BGA9V1MN9E6327XTSA1
Infineon Technologies
主要参数包括工作电源电压 1.1～2 V、工作频率 3.3～4.2 GHz、测试频率 3.8 GHz、技术 SiGe、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 5.8 mA。BGAP2D20AE6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSNP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.75～5.25 V、工作频率 2.3～2.7 GHz、技术 Si、类型 Power Amplifiers、增益 35.1 dB，采用 TSNP-16 封装。BGM687U50E6327XUMA1
Infineon Technologies · 封装：BGA-50
主要参数包括工作电源电压 1.2 V、工作频率 600 MHz to 2.7 GHz、技术 Si、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 80 uA、增益 21 dB，采用 BGA-50 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。