Infineon Technologies
BGAP2D20AE6327XTSA1
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.75～5.25 V、工作频率 2.3～2.7 GHz、技术 Si、类型 Power Amplifiers、增益 35.1 dB，采用 TSNP-16 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- RF Amplifier
- 封装
- TSNP-16
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
技术参数
13 项参数- 工作频率
- 2.3～2.7 GHz
- 工作电源电压
- 4.75～5.25 V
- 增益
- 35.1 dB
- 噪声系数（NF）
- 3.4 dB
- 类型
- Power Amplifiers
- 技术
- Si
- 1 dB 压缩点（P1dB）
- 28.9 dBm
- 输出三阶截点（OIP3）
- 34.3 dBm
- 工作温度范围
- -40～115 °C
- 原产国家或地区
- 德国
- 输入回波损耗
- 19 dB
- 通道数
- 1 个通道
展开更多参数（1 项）
- 型号别名
- BGA P2D20A E6327 SP005831158
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。