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Infineon Technologies

BGA9H1BN6E6327XTSA1

主要参数包括工作电源电压 1.1~3.3 V、工作频率 2.3~2.7 GHz、技术 Si、类型 General Purpose Amplifiers、工作电源电流 2.2 mA、增益 20.3 dB,采用 TSNP-6-10 封装。

基本资料

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制造商
Infineon
品牌
Infineon Technologies
产品类别
RF Amplifier
封装
TSNP-6-10
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
小卷盘

技术参数

12 项参数
工作频率
2.3~2.7 GHz
工作电源电压
1.1~3.3 V
工作电源电流
2.2 mA
增益
20.3 dB
噪声系数(NF)
0.6 dB
类型
General Purpose Amplifiers
技术
Si
1 dB 压缩点(P1dB)
- 17 dBm
输出三阶截点(OIP3)
- 7 dBm
工作温度范围
-40~85 °C
原产国家或地区
德国
型号别名
BGA 9H1BN6 E6327 SP002367716

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

BGA9H1BN6E6327XTSA1 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技