Infineon Technologies
BGA824N6E6329XTSA1
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 1.5～3.6 V、工作频率 1.164～1.615 GHz、测试频率 1.575 GHz、技术 SiGe、类型 Low Noise Amplifiers，采用 TSNP-6 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- RF Amplifier
- 产品系列
- BGA824N6
- 封装
- TSNP-6
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
17 项参数- 工作频率
- 1.164～1.615 GHz
- 工作电源电压
- 1.5～3.6 V
- 工作电源电流
- 3.8 mA
- 增益
- 17 dB
- 噪声系数（NF）
- 0.55 dB
- 类型
- Low Noise Amplifiers
- 技术
- SiGe
- 1 dB 压缩点（P1dB）
- - 9 dBm
- 输出三阶截点（OIP3）
- 2 dBm
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 原产国家或地区
- 德国
- 输入回波损耗
- 14 dB
展开更多参数（5 项）
- 隔离度（dB）
- 23 dB
- 通道数
- 1 个通道
- 耗散功率（Pd）
- 60 mW
- 测试频率
- 1.575 GHz
- 型号别名
- BGA 824N6 E6329 SP002478900
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。