4N26S
LITEON · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 1500 Vrms、电流传输比（最小值） 20 %、正向电流（If） 80 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录4N26S-TA
LITEON · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 1500 Vrms、电流传输比（最小值） 20 %、正向电流（If） 80 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。4N27
LITEON · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 1500 Vrms、电流传输比（最小值） 10 %、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-6 封装。4N28S-TA1
LITEON · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.5 V、最大集电极－发射极电压 30 V，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。4N27M
LITEON · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 1500 Vrms、电流传输比（最小值） 10 %、正向电流（If） 80 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-6 封装。4N27S
LITEON · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 1500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.5 V、最大集电极－发射极电压 30 V，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。4N27S-TA
LITEON · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 1500 Vrms、正向电流（If） 80 mA、正向电压（Vf） 1.5 V、最大集电极－发射极电压 30 V，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。4N27S-TA1
LITEON · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 1500 Vrms、正向电流（If） 80 mA、正向电压（Vf） 1.5 V、最大集电极－发射极电压 30 V，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。4N28
LITEON · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 500 Vrms、电流传输比（最小值） 10 %、正向电流（If） 80 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-6 封装。4N28M
LITEON · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 500 Vrms、电流传输比（最小值） 10 %、正向电流（If） 80 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-6 封装。4N28S
LITEON · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.5 V、最大集电极－发射极电压 30 V，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。4N28S-TA
LITEON · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 500 Vrms、正向电流（If） 80 mA、正向电压（Vf） 1.5 V、最大集电极－发射极电压 30 V，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。4N35
LITEON · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 3550 Vrms、电流传输比（最小值） 100 %、正向电流（If） 60 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-6 封装。4N35M
LITEON · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 3550 Vrms、电流传输比（最小值） 100 %、正向电流（If） 60 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-6 封装。4N35S
LITEON · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 3550 Vrms、电流传输比（最小值） 100 %、正向电流（If） 60 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。4N35S-TA
LITEON · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 3550 Vrms、电流传输比（最小值） 100 %、正向电流（If） 60 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。50034
Murrelektronik
该型号为晶体管，主要参数包括输出类型 Triac、最小工作温度 - 20 C、最大工作温度 + 60 C、原产国家或地区 CZ。4N32SR2M
onsemi · 封装：SMD-DIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、隔离电压 4170 Vrms、电流传输比（最小值） 50 %、正向电流（If） 80 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 SMD-DIP-6 封装。VOWA618A-9X018T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5300 Vrms、电流传输比（最小值） 200 %、电流传输比（最大值） 400 %、正向电流（If） 50 mA，采用 SMD-8 封装。VOWA618A-4X018T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5300 Vrms、电流传输比（最小值） 160 %、电流传输比（最大值） 320 %、正向电流（If） 50 mA，采用 SMD-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。