onsemi
4N32SR2M
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、隔离电压 4170 Vrms、电流传输比（最小值） 50 %、正向电流（If） 80 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 SMD-DIP-6 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- onsemi
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- 4N32M
- 封装
- SMD-DIP-6
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
18 项参数- 通道数
- 1 个通道
- 隔离电压
- 4170 Vrms
- 输出类型
- Photodarlington
- 电流传输比（最小值）
- 50 %
- 正向电流（If）
- 80 mA
- 正向电压（Vf）
- 1.5 V
- 最大集电极－发射极电压
- 30 V
- 最大集电极电流
- 150 mA
- 最大集电极－发射极饱和电压
- 1 V
- 反向电压（Vr）
- 3 V
- 耗散功率（Pd）
- 270 mW
- 工作温度范围
- -40～100 °C
展开更多参数（6 项）
- 配置
- 1 个通道
- 组装国家或地区
- TH
- 晶圆制造国家或地区
- 韩国
- 原产国家或地区
- TH
- 电流传输比
- 50 %
- 单件重量
- 0.014110 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。