ChipSourceHub 美芯科技

LITEON

4N27M

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 1500 Vrms、电流传输比(最小值) 10 %、正向电流(If) 80 mA、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 PDIP-6 封装。

基本资料

查看数据手册 ↗
品牌 / 制造商
LITEON
产品类别
晶体管
封装
PDIP-6
安装方式
通孔安装
包装方式
管装

技术参数

17 项参数
通道数
1 个通道
隔离电压
1500 Vrms
输出类型
NPN Phototransistor
电流传输比(最小值)
10 %
正向电流(If)
80 mA
正向电压(Vf)
1.5 V
最大集电极-发射极电压
30 V
最大集电极电流
100 mA
最大集电极-发射极饱和电压
500 mV
上升时间
3 us
下降时间
3 us
反向电压(Vr)
6 V
展开更多参数(5 项)
耗散功率(Pd)
250 mW
工作温度范围
-55~100 °C
原产国家或地区
中国台湾
电流传输比
10 %
单件重量
0.014110 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

4N27M 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技