LITEON
4N35M
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 3550 Vrms、电流传输比（最小值） 100 %、正向电流（If） 60 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-6 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- LITEON
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- PDIP-6
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
技术参数
17 项参数- 通道数
- 1 个通道
- 隔离电压
- 3550 Vrms
- 输出类型
- NPN Phototransistor
- 电流传输比（最小值）
- 100 %
- 正向电流（If）
- 60 mA
- 正向电压（Vf）
- 1.5 V
- 最大集电极－发射极电压
- 30 V
- 最大集电极电流
- 100 mA
- 最大集电极－发射极饱和电压
- 300 mV
- 上升时间
- 10 us
- 下降时间
- 10 us
- 反向电压（Vr）
- 6 V
展开更多参数（5 项）
- 耗散功率（Pd）
- 350 mW
- 工作温度范围
- -55～100 °C
- 原产国家或地区
- TH
- 电流传输比
- 100 %
- 单件重量
- 0.014110 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。