HMC536LP2
Analog Devices · 封装：DFN-6
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 6 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 1 dB、关断隔离度（典型值） 29 dB，采用 DFN-6 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录ADG936BCPZ-RL
Analog Devices · 封装：LFCSP-20
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 2.75 V、电源电压（最小值） 0 V、最大频率 4 GHz、技术 Si、开关配置 SPDT、最小工作温度 - 40 C，采用 LFCSP-20 封装。ADGM1001BCCZ
Analog Devices · 封装：LGA-24
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大频率 34 GHz、技术 Si、开关配置 SPDT、插入损耗 1.5 dB，采用 LGA-24 封装。ADGM1001BCCZ-RL7
Analog Devices · 封装：LGA-24
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大频率 34 GHz、技术 Si、开关配置 SPDT、插入损耗 1.5 dB，采用 LGA-24 封装。ADGM1002BCCZ
Analog Devices · 封装：LGA-24
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大频率 20 GHz、技术 Si、开关配置 SPDT、插入损耗 0.9 dB，采用 LGA-24 封装。ADGM1002BCCZ-RL7
Analog Devices · 封装：LGA-24
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大频率 20 GHz、技术 Si、开关配置 SPDT、插入损耗 0.9 dB，采用 LGA-24 封装。ADGM1003BCCZ
Analog Devices · 封装：LGA-24
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大频率 16 GHz、技术 Si、开关配置 SPDT、插入损耗 0.7 dB，采用 LGA-24 封装。ADGM1003BCCZ-RL7
Analog Devices · 封装：LGA-24
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大频率 16 GHz、技术 Si、开关配置 SPDT、插入损耗 0.7 dB，采用 LGA-24 封装。ADGM1121BCCZ-RL7
Analog Devices
该型号为集成电路，主要参数包括原产国家或地区 韩国、型号别名 ADGM1121BCCZ。ADGM1144BCCZ-RL7
Analog Devices · 封装：LGA-24
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 韩国、关断时间（最大值） 200 us，采用 LGA-24 封装。BGS12WN6E6329XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSNP-6-8
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 50 MHz、最大频率 9 GHz、技术 Si、开关配置 SPDT、插入损耗 1.85 dB、关断隔离度（典型值） 63 dB，采用 TSNP-6-8 封装。BGS14M8U9E6327XUSA1
Infineon Technologies · 封装：ULGA-9
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.1 V、最小频率 400 MHz、最大频率 7.125 GHz、工作频率 400 MHz to 7.125 GHz、开关配置 SP4T，采用 ULGA-9 封装。BGS15MU14E6327XTSA1
Infineon Technologies
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 400 MHz、最大频率 6 GHz、技术 Si、开关配置 SP5T、插入损耗 1.05 dB、关断隔离度（典型值） 48 dB。BGSA11GN10E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSNP-10
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 100 MHz、最大频率 6 GHz、技术 Si、开关配置 SPST、插入损耗 0.5 dB、关断隔离度（典型值） 10 dB，采用 TSNP-10 封装。BGSA12UGL8E6327XTSA1
Infineon Technologies
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 400 MHz、最大频率 6 GHz、技术 Si、开关配置 SPDT、插入损耗 1.9 dB、关断隔离度（典型值） 7 dB。BGSA149M2N10E6327XTSA1
Infineon Technologies
该型号为集成电路，主要参数包括原产国家或地区 日本、型号别名 BGSA 149M2N10 E6327 SP005852767。BGSA149MN10E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSNP-10
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 1.8 V、电源电压（最小值） 1.2 V、最大频率 7.125 GHz、工作频率 7.125 GHz、开关配置 SP4T、原产国家或地区 日本，采用 TSNP-10 封装。BGSA14GN10E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSNP-10
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.8 V、最小频率 100 MHz、最大频率 6 GHz、技术 Si、开关配置 SP4T，采用 TSNP-10 封装。BGSA14M2N10E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSNP-10-9
该型号为集成电路，主要参数包括开关配置 SP4T、原产国家或地区 日本、开关数 Quad、型号别名 BGSA 14M2N10 E6327 SP005561452，采用 TSNP-10-9 封装。BGSA14M2N10E6329XTSA1
Infineon Technologies
该型号为集成电路，主要参数包括型号别名 BGSA 14M2N10 E6329 SP005724451。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。