RF2L36075CF2
STMicroelectronics · 封装：B2-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 3.5 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.5 A，采用 B2-3 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录RF2L42008CG2
STMicroelectronics · 封装：E2-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 3.6 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 E2-3 封装。RF3L05150CB4
STMicroelectronics · 封装：LBB-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 945 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.5 A，采用 LBB-4 封装。RF2L16080CF2
STMicroelectronics · 封装：A2-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1.625 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 A2-3 封装。RF3L05250CB4
STMicroelectronics · 封装：LBB-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.5 A，采用 LBB-5 封装。RF5L15120CB4
STMicroelectronics · 封装：LBB-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.5 A，采用 LBB-5 封装。SD2931-14
STMicroelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。ARF466BG
Microchip Technology · 封装：TO-247-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 45 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 13 A，采用 TO-247-3 封装。ARF466FL
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾。ARF468AG
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾。ARF468BG
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 45 MHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 22 A、漏源击穿电压（Vds） 500 V、漏源导通电阻（Rds On） 300 mOhms。ARF469AG
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾、单件重量 0.674332 oz。BLA9H0912L-700U
Ampleon · 封装：SOT502A-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 960 MHz to 1.215 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 60 mOhms，采用 SOT502A-3 封装。BLA9H0912L-250GU
Ampleon · 封装：SOT502F-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 960 MHz to 1.215 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 110 mOhms，采用 SOT502F-3 封装。BLA9H0912L-250U
Ampleon · 封装：SOT502A-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 960 MHz to 1.215 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 110 mOhms，采用 SOT502A-3 封装。BLA9H0912L-700GU
Ampleon · 封装：SOT502F-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 960 MHz to 1.215 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 60 mOhms，采用 SOT502F-3 封装。BLA9H0912LS-1200PGJ
Ampleon · 封装：SOT1248C-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 960 MHz to 1.215 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 60 mOhms，采用 SOT1248C-5 封装。BLA9H0912LS-1200PU
Ampleon · 封装：SOT539B-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 960 MHz to 1.215 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 60 mOhms，采用 SOT539B-5 封装。BLA9H0912LS-250GU
Ampleon · 封装：SOT502E-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 960 MHz to 1.215 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 110 mOhms，采用 SOT502E-3 封装。BLL9G1214LS-600U
Ampleon · 封装：SOT502B-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1.2～1.4 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 26 mOhms，采用 SOT502B-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。