STMicroelectronics
RF5L15120CB4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.5 A，采用 LBB-5 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- STMicroelectronics
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- LBB-5
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
15 项参数- 晶体管极性
- Dual N-Channel
- 技术
- Si
- 连续漏极电流（Id）
- 2.5 A
- 漏源击穿电压（Vds）
- 95 V
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 1 Ω
- 工作频率
- 1 GHz
- 增益
- 20 dB
- 输出功率
- 120 W
- 最大工作温度
- + 200 C
- 原产国家或地区
- 中国
- 湿敏性
- 是
- 通道数
- 2 个通道
展开更多参数（3 项）
- 类型
- RF Power MOSFET
- 栅源电压（Vgs）
- - 8 V, + 10 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 2.8 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。