STMicroelectronics
RF3L05150CB4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 945 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.5 A，采用 LBB-4 封装。
基本资料
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- STMicroelectronics
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- LBB-4
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 剪切带
技术参数
13 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 技术
- Si
- 连续漏极电流（Id）
- 2.5 A
- 漏源击穿电压（Vds）
- 28 V
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 1 Ω
- 工作频率
- 945 MHz
- 增益
- 16 dB
- 输出功率
- 150 W
- 最大工作温度
- + 200 C
- 原产国家或地区
- 中国
- 通道数
- 1 个通道
- 类型
- RF Power MOSFET
展开更多参数（1 项）
- 单件重量
- 0.084658 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。