MWT-PH29F71
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 18 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 13 dB，采用 Die 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MWT-PH4F73
CML Micro
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 28 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 14 dB。MWT-PH7F
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 28 GHz、技术 GaAs、连续漏极电流（Id） 60～80 mA、漏源击穿电压（Vds） 6.5 V、增益 15 dB、输出功率 23 dBm，采用 Die 封装。MWT-PH7F70
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 28 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 15 dB，采用 Die 封装。MWT-PH7F71
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 28 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 15 dB，采用 Die 封装。MWT-PH7F73
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 28 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 15 dB，采用 Die 封装。TAV1-331+
Mini-Circuits · 封装：MCLP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 10 MHz to 4 GHz、技术 GaAs、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 60 mA、漏源击穿电压（Vds） 4 V，采用 MCLP-4 封装。TAV1-331NM+
Mini-Circuits · 封装：1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 10 MHz to 4 GHz、技术 GaAs、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 60 mA、漏源击穿电压（Vds） 4 V，采用 1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm 封装。TAV1-541+
Mini-Circuits · 封装：MCLP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 45 MHz to 6 GHz、技术 GaAs、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 120 mA、漏源击穿电压（Vds） 3 V，采用 MCLP-4 封装。MRF175GV
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。MRF176GU
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。MRF176GV
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。PTAB182002FC-V1-R0
MACOM · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.805～1.88 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248-4 封装。RF2L16180CB4
STMicroelectronics · 封装：B4E-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1.6 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.5 A，采用 B4E-5 封装。RF3L05200CB4
STMicroelectronics · 封装：LBB-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 945 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 28 V，采用 LBB-3 封装。RF2L16180CF2
STMicroelectronics · 封装：B2-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1.47 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 B2-3 封装。RF2L24280CB4
STMicroelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性 是。RF2L27015CG2
STMicroelectronics · 封装：E2-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.7 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V，采用 E2-3 封装。RF2L27025CG2
STMicroelectronics · 封装：E2-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.7 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 E2-3 封装。RF2L36040CF2
STMicroelectronics · 封装：A2-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 3.6 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V，采用 A2-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。