STMicroelectronics
RF3L05200CB4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 945 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 28 V，采用 LBB-3 封装。
基本资料
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- STMicroelectronics
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- LBB-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 卷盘
技术参数
8 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 技术
- Si
- 漏源击穿电压（Vds）
- 28 V
- 工作频率
- 945 MHz
- 增益
- 16 dB
- 输出功率
- 200 W
- 通道数
- 1 个通道
- 类型
- RF Power MOSFET
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。