MACOM
PTAB182002FC-V1-R0
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.805～1.88 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248-4 封装。
基本资料
- 品牌 / 制造商
- MACOM
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- H-37248-4
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
技术参数
12 项参数- 晶体管极性
- Dual N-Channel
- 技术
- Si
- 漏源击穿电压（Vds）
- 65 V
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 150 mOhms
- 工作频率
- 1.805～1.88 GHz
- 增益
- 15.5 dB
- 输出功率
- 190 W
- 最大工作温度
- + 200 C
- 原产国家或地区
- 美国
- 通道数
- 2 个通道
- 类型
- RF Power MOSFET
- 栅源电压（Vgs）
- + 10 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。