AFM906NT1
NXP Semiconductors · 封装：HVSON-16
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935316322515、单件重量 0 oz，采用 HVSON-16 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MRF1K50NR5
NXP Semiconductors · 封装：OM-1230-4L
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.8～500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 36 A，采用 OM-1230-4L 封装。MHT1008NT1
NXP Semiconductors · 封装：PLD-1.5W
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.45 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 154 mA，采用 PLD-1.5W 封装。MRF1K50GNR5
NXP Semiconductors · 封装：OM-1230G-4L
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.8～500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 36 A，采用 OM-1230G-4L 封装。MRFE6VP5600HR6
NXP Semiconductors · 封装：NI-1230
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.8～600 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 130 V、增益 25 dB，采用 NI-1230 封装。MRF6S20010GNR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 68 V、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 TO-270 封装。MRFE6S9060NR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 66 V、增益 21.1 dB、最小工作温度 - 65 C，采用 TO-270 封装。MRF1535NT1
NXP Semiconductors · 封装：TO-272-Wrap-6
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 520 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 6 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 TO-272-Wrap-6 封装。AFT20S015GNR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270-2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 100 MHz to 3.6 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 132 mA，采用 TO-270-2 封装。MRFE6VP100HR5
NXP Semiconductors · 封装：NI-780-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1800～2000 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 141 V、增益 26 dB，采用 NI-780-4 封装。MRF6VP11KHR5
NXP Semiconductors · 封装：NI-1230
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 110 V、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 NI-1230 封装。MRF6VP3450HR5
NXP Semiconductors · 封装：NI-1230
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 110 V、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 NI-1230 封装。MW6S004NT1
NXP Semiconductors · 封装：PLD-1.5-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 68 V、增益 18 dB、输出功率 4 W，采用 PLD-1.5-3 封装。MRFE6S9045NR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 66 V、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 TO-270 封装。MW6S010GNR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270-2
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.5 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 68 V、增益 18 dB，采用 TO-270-2 封装。MRFE6VS25GNR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270-2
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.8～2 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 142 V、增益 27 dB，采用 TO-270-2 封装。AFT09MS007NT1
NXP Semiconductors · 封装：PLD-1.5
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 870 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 400 mV, 30 V、增益 15.2 dB，采用 PLD-1.5 封装。AFT05MS031GNR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270-2
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 136～520 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、漏源击穿电压（Vds） - 500 mV, 40 V、增益 19 dB、湿敏性 是，采用 TO-270-2 封装。AFT05MS031NR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270-2
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 136～520 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） - 500 mV, 40 V、增益 19 dB，采用 TO-270-2 封装。AFT05MS004NT1
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、型号别名 935315307147、单件重量 0.001792 oz。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。