NXP Semiconductors
MRF6VP11KHR5
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 110 V、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 NI-1230 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP Semiconductors
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- MRF6VP11KH
- 封装
- NI-1230
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
13 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 技术
- Si
- 漏源击穿电压（Vds）
- 110 V
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 配置
- Dual Common Source
- 高度
- 5.08 mm
- 长度
- 41.28 mm
- 类型
- RF Power MOSFET
- 宽度
- 10.29 mm
- 通道模式
- Enhancement
- 栅源电压（Vgs）
- - 6 V, 10 V
- 型号别名
- 935309981178
展开更多参数（1 项）
- 单件重量
- 0.464036 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。