NXP Semiconductors
MW6S010GNR1
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.5 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 68 V、增益 18 dB，采用 TO-270-2 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP Semiconductors
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- MW6S010N
- 封装
- TO-270-2
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- E
技术参数
19 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 技术
- Si
- 漏源击穿电压（Vds）
- 68 V
- 增益
- 18 dB
- 输出功率
- 10 W
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 配置
- Single
- 高度
- 2.08 mm
- 长度
- 9.7 mm
- 工作频率
- 1.5 GHz
- 类型
- RF Power MOSFET
- 宽度
- 5.97 mm
展开更多参数（7 项）
- 通道模式
- Enhancement
- 湿敏性
- 是
- 耗散功率（Pd）
- 61.4 W
- 栅源电压（Vgs）
- 12 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 2.3 V
- 型号别名
- 935324159528
- 单件重量
- 0.019330 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。