芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

20,447 条型号记录

每页 20 条

AFT18S260W31SR3

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935322334128、单件重量 0.146722 oz。

查看资料询价

MRF8P20140WGHSR3

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935311633128、单件重量 0.115628 oz。

查看资料询价

PTVA123501FC-V1-R0

Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-2

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1200～1400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 150 mA，采用 H-37248-2 封装。

查看资料询价

MMRF1006HSR5

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935311705178、单件重量 0.299419 oz。

查看资料询价

A3T18H455W23SR6

NXP Semiconductors · 封装：ACP-1230S-4L2S

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1805～1880 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 3.6 A，采用 ACP-1230S-4L2S 封装。

查看资料询价

A3T21H456W23SR6

NXP Semiconductors · 封装：ACP-1230S-4L2S

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2110～2200 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 1.6 A, 3.6 A，采用 ACP-1230S-4L2S 封装。

查看资料询价

A2T21H410-24SR6

NXP / Freescale · 封装：NI-1230S-4L2L-6

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2.11～2.17 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1.6 A, 2.7 A，采用 NI-1230S-4L2L-6 封装。

查看资料询价

MMRF1009HR5

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935318134178、单件重量 0.168010 oz。

查看资料询价

MRF8P20165WHR3

NXP / Freescale · 封装：NI-780S-4

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.88～2.025 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 16.3 dB、输出功率 28 W，采用 NI-780S-4 封装。

查看资料询价

MMRF1011HR5

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935320386178、单件重量 0.227150 oz。

查看资料询价

AFT18P350-4S2LR6

NXP / Freescale · 封装：NI-1230-4

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1805～1880 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 NI-1230-4 封装。

查看资料询价

MRF6V12500HR5

NXP / Freescale · 封装：NI-780

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 0.96～1.215 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 110 V、增益 18.5 dB、输出功率 50 W，采用 NI-780 封装。

查看资料询价

A2T21H360-23NR6

NXP Semiconductors · 封装：OM-1230-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2110～2200 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.4 A，采用 OM-1230-4 封装。

查看资料询价

STAC3932F

STMicroelectronics · 封装：STAC244F

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 250 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 20 A、漏源击穿电压（Vds） 250 V，采用 STAC244F 封装。

查看资料询价

MRF8P29300HSR6

NXP / Freescale · 封装：NI-1230S

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2.7～2.9 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 13.3 dB、输出功率 320 W，采用 NI-1230S 封装。

查看资料询价

MRFE6VP6300HSR5

NXP / Freescale · 封装：NI-780S-4

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.8～600 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 130 V、增益 26.6 dB，采用 NI-780S-4 封装。

查看资料询价

MMRF1318NR1

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935320482528、单件重量 0.058073 oz。

查看资料询价

MRF8VP13350GNR3

NXP / Freescale · 封装：OM-780G-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 700～1300 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 1.3 A，采用 OM-780G-4 封装。

查看资料询价

MRF8P9300HSR6

NXP / Freescale · 封装：NI-1230S

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 0.86～0.96 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 70 V、增益 19.6 dB、输出功率 100 W，采用 NI-1230S 封装。

查看资料询价

AFT21S140W02GSR3

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、型号别名 935324832128、单件重量 0.164885 oz。

查看资料询价

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。