NXP Semiconductors
A2T21H360-23NR6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2110～2200 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.4 A，采用 OM-1230-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP Semiconductors
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- OM-1230-4
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
15 项参数- 晶体管极性
- Dual N-Channel
- 技术
- Si
- 连续漏极电流（Id）
- 2.4 A
- 漏源击穿电压（Vds）
- - 500 mV, 5 V
- 增益
- 16.8 dB
- 输出功率
- 63 W
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 工作频率
- 2110～2200 MHz
- 类型
- RF Power MOSFET
- 通道数
- 2 个通道
- 湿敏性
- 是
- 栅源电压（Vgs）
- - 6 V, 10 V
展开更多参数（3 项）
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 0.8 V
- 型号别名
- 935322358528
- 单件重量
- 0.186807 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。