NXP / Freescale
AFT18P350-4S2LR6
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1805～1880 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 NI-1230-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP / Freescale
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- AFT18P350_4S2L
- 封装
- NI-1230-4
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
14 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 技术
- Si
- 连续漏极电流（Id）
- 1 A
- 漏源击穿电压（Vds）
- 65 V
- 增益
- 16.1 dB
- 输出功率
- 63 W
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 配置
- Single
- 工作频率
- 1805～1880 MHz
- 类型
- RF Power MOSFET
- 栅源电压（Vgs）
- 1.2 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 1.9 V
展开更多参数（2 项）
- 型号别名
- 935317727128
- 单件重量
- 0.300472 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。