SD4931
STMicroelectronics · 封装：M174
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 250 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 20 A、漏源击穿电压（Vds） 200 V，采用 M174 封装。射频与无线
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
20,447 条型号记录LET9045C
STMicroelectronics · 封装：M243
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 9 A、漏源击穿电压（Vds） 80 V，采用 M243 封装。D1017UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DM
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 30 A、漏源击穿电压（Vds） 70 V，采用 DM 封装。D1029UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DR
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 35 A、漏源击穿电压（Vds） 70 V，采用 DR 封装。BF992,215
NXP Semiconductors · 封装：SOT-143B-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Small Signal MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 40 mA、漏源击穿电压（Vds） 20 V, 20 V、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-143B-4 封装。D5011UK
Semelab / TT Electronics · 封装：SO-8
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 3 A、漏源击穿电压（Vds） 125 V，采用 SO-8 封装。D1002UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DA
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 10 A、漏源击穿电压（Vds） 70 V，采用 DA 封装。375-501N21A-00
IXYS · 封装：SMD-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 50 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 25 A，采用 SMD-6 封装。275-102N06A-00
IXYS · 封装：SMD-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 100 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 8 A，采用 SMD-6 封装。TGF3021-SM
Qorvo
该型号为晶体管，主要参数包括技术 GaN SiC、湿敏性 是、型号别名 1121772。PD85004
STMicroelectronics · 封装：SOT-89-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 SOT-89-4 封装。VRF2933
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、工作频率 30 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 42 A。AFT05MP075NR1
NXP / Freescale · 封装：TO-270-WB-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 136～520 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 3 A，采用 TO-270-WB-4 封装。MRF141G
MACOM · 封装：375-04
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 32 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 12 dB，采用 375-04 封装。MRF150MP
MACOM · 封装：221-11-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 16 A、漏源击穿电压（Vds） 125 V，采用 221-11-3 封装。MRF300AN
NXP Semiconductors · 封装：TO-247-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935369813174，采用 TO-247-3 封装。MRF171A
MACOM · 封装：211-07-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 150 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4.5 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 211-07-3 封装。MRF137
MACOM · 封装：211-07-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 400 MHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 5 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 13 dB，采用 211-07-3 封装。STAC1011-350
STMicroelectronics · 封装：STAC265B-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1.03～1.09 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2 uA，采用 STAC265B-3 封装。SD57045
STMicroelectronics · 封装：M243
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 5 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 M243 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。