STMicroelectronics
STAC1011-350
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1.03～1.09 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2 uA，采用 STAC265B-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- STMicroelectronics
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- STAC1011-350
- 封装
- STAC265B-3
- 安装方式
- Screw Mount
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
13 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 技术
- Si
- 连续漏极电流（Id）
- 2 uA
- 漏源击穿电压（Vds）
- 80 V
- 增益
- 15 dB
- 输出功率
- 350 W
- 最大工作温度
- + 200 C
- 工作频率
- 1.03～1.09 GHz
- 类型
- RF Power MOSFET
- 通道数
- 1 个通道
- 耗散功率（Pd）
- 1.44 kW
- 栅源电压（Vgs）
- 20 V
展开更多参数（1 项）
- 单件重量
- 0.074075 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。