NXP Semiconductors
BF992,215
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Small Signal MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 40 mA、漏源击穿电压（Vds） 20 V, 20 V、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-143B-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP Semiconductors
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- SOT-143B-4
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
15 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 技术
- Si
- 连续漏极电流（Id）
- 40 mA
- 漏源击穿电压（Vds）
- 20 V, 20 V
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 配置
- Single Dual Gate
- 高度
- 1 mm
- 长度
- 3 mm
- 类型
- RF Small Signal MOSFET
- 宽度
- 1.4 mm
- 通道模式
- Depletion
- 耗散功率（Pd）
- 200 mW
展开更多参数（3 项）
- 栅源电压（Vgs）
- 20 V, 20 V
- 型号别名
- 933615000215
- 单件重量
- 0.000314 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。