MRF422
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录ARF1500
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 175 C、工作频率 40 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 60 A。3SK292(TE85R,F)
Toshiba · 封装：SMQ-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、类型 RF Small Signal MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 30 mA、漏源击穿电压（Vds） 12.5 V，采用 SMQ-4 封装。MRF314
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。MRF172
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：211-07-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 200 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 9 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 211-07-3 封装。ARF477FL
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET。VRF141MP
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。PD55025-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Formed-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 7 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。PD85006L-E
STMicroelectronics · 封装：PowerFLAT (5x5)
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PowerFLAT (5x5) 封装。ARF461BG
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 65 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 6.5 A。RFM04U6P(TE12L,F)
Toshiba · 封装：PW-Mini-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 470 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2 A、漏源击穿电压（Vds） 16 V，采用 PW-Mini-3 封装。MRF1513NT1
NXP / Freescale · 封装：PLD-1.5
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 520 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PLD-1.5 封装。PD84001
STMicroelectronics · 封装：SOT-89-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1.5 A、漏源击穿电压（Vds） 18 V，采用 SOT-89-4 封装。BLW96
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。MRF492
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。MRF174
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：221-11-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 200 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 13 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 221-11-3 封装。BLF245
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。MRF141
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：221-11-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 16 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V、最小工作温度 - 65 C，采用 221-11-3 封装。PD54008L-E
STMicroelectronics · 封装：PowerFLAT (5x5)
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 5 A、漏源击穿电压（Vds） 25 V，采用 PowerFLAT (5x5) 封装。MRF24G300HS-2450
NXP Semiconductors · 封装：NI-780S-4L
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2.45 GHz、技术 GaN SiC、类型 RF Power MOSFET、漏源击穿电压（Vds） 150 V、增益 15.5 dB，采用 NI-780S-4L 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。