NXP Semiconductors
MRF24G300HS-2450
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2.45 GHz、技术 GaN SiC、类型 RF Power MOSFET、漏源击穿电压（Vds） 150 V、增益 15.5 dB，采用 NI-780S-4L 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP Semiconductors
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- NI-780S-4L
- 安装方式
- Flange Mount
技术参数
10 项参数- 技术
- GaN SiC
- 漏源击穿电压（Vds）
- 150 V
- 增益
- 15.5 dB
- 输出功率
- 332 W
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 工作频率
- 2.45 GHz
- 类型
- RF Power MOSFET
- 通道数
- 2 个通道
- 栅源电压（Vgs）
- - 3.8 V
- 型号别名
- 935384492598
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。