STMicroelectronics
PD85006L-E
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PowerFLAT (5x5) 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- STMicroelectronics
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- PD85006L-E
- 封装
- PowerFLAT (5x5)
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
15 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 技术
- Si
- 连续漏极电流（Id）
- 2 A
- 漏源击穿电压（Vds）
- 40 V
- 增益
- 15 dB
- 输出功率
- 6 W
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 配置
- Single
- 工作频率
- 1 GHz
- 类型
- RF Power MOSFET
- 通道模式
- Enhancement
- 湿敏性
- 是
展开更多参数（3 项）
- 耗散功率（Pd）
- 20.8 W
- 栅源电压（Vgs）
- 15 V
- 单件重量
- 0.105822 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。