MRFE6VP8600HSR5
NXP Semiconductors · 封装：NI-1230S
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 470～860 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 140 V、增益 18.8 dB，采用 NI-1230S 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MRFE6VP61K25HSR5
NXP Semiconductors · 封装：NI-1230S
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.8 MHz, 600 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 10 uA、漏源击穿电压（Vds） 133 V，采用 NI-1230S 封装。MMRF1019NR4
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935315321531、单件重量 0.009877 oz。MMRF1015NR1
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935323518528、单件重量 0.018679 oz。MRF1517NT1
NXP Semiconductors · 封装：PLD-1.5
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 520 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源击穿电压（Vds） 25 V，采用 PLD-1.5 封装。MMRF1312HSR5
NXP Semiconductors · 封装：NI-1230S-4S-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 900 MHz to 1.215 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.6 A，采用 NI-1230S-4S-4 封装。MMRF1305HR5
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935320341178、单件重量 0.225605 oz。MRF24300NR3
NXP Semiconductors · 封装：OM-780-2L
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.45 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 3.7 A，采用 OM-780-2L 封装。MRF174
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。MRFX1K80NR5
NXP Semiconductors · 封装：OM-1230-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.8～400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 43 A，采用 OM-1230-4 封装。A3T23H300W23SR6
NXP Semiconductors · 封装：ACP-1230S-4L2S
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2300～2400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 3.2 A，采用 ACP-1230S-4L2S 封装。MRF24301HR5
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2400～2500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 32 V。MRFX1K80HR5
NXP Semiconductors · 封装：NI-1230H-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.8～400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 43 A，采用 NI-1230H-4 封装。MRF300BN
NXP Semiconductors · 封装：TO-247-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935369814174，采用 TO-247-3 封装。MRF13750HR5
NXP Semiconductors · 封装：NI-1230H-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 700～1300 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.8 A，采用 NI-1230H-4 封装。MRFX600HR5
NXP Semiconductors · 封装：NI-780H-4L
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.8～400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 32 A，采用 NI-780H-4L 封装。A3T23H450W23SR6
NXP Semiconductors · 封装：ACP-1230S-4L2S
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2300～2400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） - 0.5 V, 65 V，采用 ACP-1230S-4L2S 封装。MRFX600GSR5
NXP Semiconductors · 封装：NI-780GS-4L
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.8～400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 32 A，采用 NI-780GS-4L 封装。MRFX035HR5
NXP Semiconductors · 封装：NI-360H-2SB
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1.8～512 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 100 mA，采用 NI-360H-2SB 封装。MRFX600HSR5
NXP Semiconductors · 封装：NI-780S-4L
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.8～400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 32 A，采用 NI-780S-4L 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。