NXP Semiconductors
MRF1517NT1
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 520 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源击穿电压（Vds） 25 V，采用 PLD-1.5 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP Semiconductors
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- PLD-1.5
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- E
技术参数
20 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 技术
- Si
- 连续漏极电流（Id）
- 4 A
- 漏源击穿电压（Vds）
- 25 V
- 增益
- 14 dB
- 输出功率
- 8 W
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 配置
- Single
- 高度
- 1.83 mm
- 长度
- 6.73 mm
- 工作频率
- 520 MHz
- 类型
- RF Power MOSFET
展开更多参数（8 项）
- 宽度
- 5.97 mm
- 通道模式
- Enhancement
- 湿敏性
- 是
- 耗散功率（Pd）
- 62.5 W
- 栅源电压（Vgs）
- 20 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 1.7 V
- 型号别名
- 935310293515
- 单件重量
- 0.009877 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。