NXP Semiconductors
MRFE6VP8600HSR5
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 470～860 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 140 V、增益 18.8 dB，采用 NI-1230S 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP Semiconductors
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- NI-1230S
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
15 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 技术
- Si
- 漏源击穿电压（Vds）
- 140 V
- 增益
- 18.8 dB
- 输出功率
- 600 W
- 最大工作温度
- + 150 C
- 配置
- Dual
- 工作频率
- 470～860 MHz
- 类型
- RF Power MOSFET
- 正向跨导（最小值）
- 15.6 S
- 耗散功率（Pd）
- 1.52 kW
- 栅源电压（Vgs）
- 10 V
展开更多参数（3 项）
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 2.07 V
- 型号别名
- 935310858178
- 单件重量
- 0.467870 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。