T1G4020036-FL
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 3.5 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、增益 16 dB、晶体管极性 N-Channel。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录TGF2120
Qorvo · 封装：Die
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 20 GHz、技术 GaAs、晶体管类型 pHEMT、类型 GaAs pHEMT、增益 11 dB、漏源击穿电压（Vds） 8 V，采用 Die 封装。TGF2080
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作温度范围 - 65 C to + 150 C、工作频率 12 GHz、技术 GaAs、晶体管类型 pHEMT、类型 GaAs pHEMT。MMBF5485
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOT-23
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、晶体管类型 JFET、类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、栅源击穿电压（Vgs） - 25 V，采用 SOT-23 封装。CG2H30070F-TB2
Wolfspeed / Cree · 封装：CG2H30070F
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 0.5～3 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 12 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 120 V，采用 CG2H30070F 封装。MMBF5484
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOT-23-3
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、晶体管类型 JFET、类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、栅源击穿电压（Vgs） - 25 V，采用 SOT-23-3 封装。TGF2942
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 DC to 25 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 18 dB、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 170 mA。TGF2023-2-01
Qorvo · 封装：Die
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、晶体管极性 N-Channel、产品 RF JFET、型号别名 1099624，采用 Die 封装。T1G4004532-FS
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaN SiC、漏源击穿电压（Vds） 32 V、栅源击穿电压（Vgs） 100 V、耗散功率（Pd） 45 W、配置 Single、高度 4.064 mm。CGH60060D-GP4
Wolfspeed / Cree · 封装：Die
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、工作频率 4～6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 13 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 Die 封装。CGHV35400F
Wolfspeed / Cree
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 Si。CGHV14500F
Wolfspeed / Cree · 封装：440117
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 1.2～1.4 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 17.1 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V，采用 440117 封装。CGHV27060MP
Wolfspeed / Cree · 封装：QSOP-20
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 90 C、工作频率 2.7 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 18.5 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 QSOP-20 封装。CGHV40320D-GP4
Wolfspeed / Cree · 封装：Die
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 4 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、输出功率 320 W，采用 Die 封装。CGHV96050F1
Wolfspeed / Cree · 封装：440210
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 7.9～9.6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 16 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V，采用 440210 封装。CGHV60170D
Wolfspeed / Cree · 封装：Die
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括通道数 8 个通道、工作频率 6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 18 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 Die 封装。QPD3601
Qorvo · 封装：NI400-2
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 3.4～3.6 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 22 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 NI400-2 封装。CGHV14250F
Wolfspeed / Cree · 封装：440162
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 1.2～1.4 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 18.6 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V，采用 440162 封装。QPD1013SR
Qorvo · 封装：DFN-6
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 1.2～2.7 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 21.8 dB、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1.7 A，采用 DFN-6 封装。QPD2795
Qorvo · 封装：NI780-2
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 2.5～2.7 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 22 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 NI780-2 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。