Qorvo
QPD2795
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 2.5～2.7 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 22 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 NI780-2 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Qorvo
- 产品类别
- 射频结型场效应晶体管
- 产品系列
- QPD
- 封装
- NI780-2
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- Waffle
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
16 项参数- 晶体管类型
- HEMT
- 技术
- GaN SiC
- 增益
- 22 dB
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 48 V
- 连续漏极电流（Id）
- 360 mA
- 输出功率
- 364 W
- 最大漏栅电压
- 55 V
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 耗散功率（Pd）
- 83.5 W
- 配置
- Dual
- 工作频率
- 2.5～2.7 GHz
展开更多参数（4 项）
- 工作温度范围
- - 40 C to + 85 C
- 湿敏性
- 是
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- - 2.7 V
- 型号别名
- 1130777
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。