ON Semiconductor / Fairchild
MMBF5485
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、晶体管类型 JFET、类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、栅源击穿电压（Vgs） - 25 V，采用 SOT-23 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- ON Semiconductor
- 品牌
- ON Semiconductor / Fairchild
- 产品类别
- 射频结型场效应晶体管
- 产品系列
- MMBF5485
- 封装
- SOT-23
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
15 项参数- 晶体管类型
- JFET
- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel
- 栅源击穿电压（Vgs）
- - 25 V
- 连续漏极电流（Id）
- 10 mA
- 最大漏栅电压
- 25 V
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 225 mW
- 配置
- Single
- 工作温度范围
- - 55 C to + 150 C
- 产品
- RF JFET
- 类型
- JFET
展开更多参数（3 项）
- 正向跨导（最小值）
- 0.0035 S to 0.007 S
- 栅源截止电压
- - 4 V
- 单件重量
- 0.000282 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。