MRFG35003N6AT1
NXP / Freescale · 封装：PLD-1.5
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 3.55 GHz、技术 GaAs、晶体管类型 pHEMT、类型 GaAs pHEMT、增益 10 dB、漏源击穿电压（Vds） 8 V，采用 PLD-1.5 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录CGH60008D-GP4
Wolfspeed / Cree · 封装：Die
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 4～6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 15 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 120 V，采用 Die 封装。CGHV40050F
Wolfspeed / Cree
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 氮化镓（GaN）。CG2H80030D-GP4
Wolfspeed / Cree · 封装：Die
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 8 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 16.5 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 120 V，采用 Die 封装。2SK3557-6-TB-E
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 JFET、类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 15 V、栅源击穿电压（Vgs） - 15 V，采用 SOT-23-3 封装。QPD0405TR13
RFMD (Qorvo)
该型号为射频结型场效应晶体管。QPD0305SR
RFMD (Qorvo)
该型号为射频结型场效应晶体管。QPD0210SR
RFMD (Qorvo)
该型号为射频结型场效应晶体管。QPD0020TR7
RFMD (Qorvo)
该型号为射频结型场效应晶体管。QPD9300SR
RFMD (Qorvo)
该型号为射频结型场效应晶体管。QPD1006
RFMD (Qorvo)
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括湿敏性 是。QPD0210TR13
RFMD (Qorvo)
该型号为射频结型场效应晶体管。QPD0305TR13
RFMD (Qorvo)
该型号为射频结型场效应晶体管。QPD0005TR13
RFMD (Qorvo)
该型号为射频结型场效应晶体管。QPD0405SR
RFMD (Qorvo)
该型号为射频结型场效应晶体管。MRFG35003N6AT1
NXP Semiconductors · 封装：PLD-1.5
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 3.55 GHz、技术 GaAs、晶体管类型 pHEMT、类型 GaAs pHEMT、增益 10 dB、漏源击穿电压（Vds） 8 V，采用 PLD-1.5 封装。NPT25015D
MACOM
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaN Si。NPT35015D
MACOM
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaN Si。CG2H40025F
Wolfspeed / Cree · 封装：440166
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 DC to 6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 15 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 120 V，采用 440166 封装。QPD1018
Qorvo · 封装：17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 2.7～3.1 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 17.7 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 145 V，采用 17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。