NXP Semiconductors
MRFG35003N6AT1
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 3.55 GHz、技术 GaAs、晶体管类型 pHEMT、类型 GaAs pHEMT、增益 10 dB、漏源击穿电压（Vds） 8 V，采用 PLD-1.5 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP Semiconductors
- 产品类别
- 射频结型场效应晶体管
- 封装
- PLD-1.5
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- E
技术参数
15 项参数- 晶体管类型
- pHEMT
- 技术
- GaAs
- 增益
- 10 dB
- 漏源击穿电压（Vds）
- 8 V
- 栅源击穿电压（Vgs）
- - 5 V
- 连续漏极电流（Id）
- 2.9 A
- 最大工作温度
- + 85 C
- 配置
- Single Dual Source
- 工作频率
- 3.55 GHz
- 产品
- RF JFET
- 类型
- GaAs pHEMT
- 湿敏性
- 是
展开更多参数（3 项）
- 1 dB 压缩点（P1dB）
- 3 W
- 型号别名
- 935309639515
- 单件重量
- 0.009877 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。