ON Semiconductor
2SK3557-6-TB-E
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 JFET、类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 15 V、栅源击穿电压（Vgs） - 15 V，采用 SOT-23-3 封装。
基本资料
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- ON Semiconductor
- 产品类别
- 射频结型场效应晶体管
- 产品系列
- 2SK3557
- 封装
- SOT-23-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
15 项参数- 晶体管类型
- JFET
- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 15 V
- 栅源击穿电压（Vgs）
- - 15 V
- 连续漏极电流（Id）
- 50 mA
- 最大漏栅电压
- - 15 V
- 最大工作温度
- + 150 C
- 耗散功率（Pd）
- 200 mW
- 配置
- Single
- 产品
- RF JFET
- 类型
- JFET
展开更多参数（3 项）
- 正向跨导（最小值）
- 35 mS
- 栅源截止电压
- - 0.7 V
- 单件重量
- 0.000282 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。