TGF3015-SM
Qorvo · 封装：QFN-EP-16
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 0.03～3 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 17.1 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 32 V，采用 QFN-EP-16 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录TGF2025
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、工作频率 20 GHz、技术 GaAs、晶体管类型 pHEMT、类型 GaAs pHEMT、增益 14 dB。TGF2965-SM
Qorvo · 封装：QFN-16
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 30 MHz to 3 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 18 dB、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 32 V，采用 QFN-16 封装。T1G2028536-FS
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 2 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、增益 18 dB、晶体管极性 N-Channel。T1G2028536-FL
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 2 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、增益 20.8 dB、晶体管极性 N-Channel。CGH35240F
Wolfspeed / Cree · 封装：440201
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 3.1～3.5 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 11.6 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 120 V，采用 440201 封装。CGHV60040D
Wolfspeed / Cree · 封装：Die
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 18 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 Die 封装。CGHV1J006D-GP4
Wolfspeed / Cree · 封装：Die
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 10 MHz to 18 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 17 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V，采用 Die 封装。CGH40090PP
Wolfspeed / Cree · 封装：440199
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 500 MHz to 2.5 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 12.5 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 440199 封装。T2G4003532-FL
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 3.5 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、增益 16 dB、晶体管极性 N-Channel。T2G4003532-FS
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 3.5 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、晶体管极性 N-Channel、输出功率 30 W。CGHV96050F2
Wolfspeed / Cree
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、高度 5.03 mm、长度 23.01 mm、产品 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）、宽度 24.26 mm。BF861B,215
NXP Semiconductors · 封装：SOT-23
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 JFET、类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 25 V、栅源击穿电压（Vgs） - 25 V，采用 SOT-23 封装。BF861C,215
NXP Semiconductors · 封装：SOT-23
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 JFET、类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 25 V、栅源击穿电压（Vgs） - 25 V，采用 SOT-23 封装。CE3512K2-C1
CEL
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 Si、单件重量 0.000581 oz。NPTB00004A
MACOM · 封装：SOIC-8
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 6 GHz、技术 GaN Si、晶体管类型 HEMT、增益 16 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V，采用 SOIC-8 封装。BF861B,235
NXP Semiconductors · 封装：SOT-23
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 JFET、类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 25 V、栅源击穿电压（Vgs） 25 V，采用 SOT-23 封装。CE3520K3-C1
CEL
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 Si。CGH55030F2
Wolfspeed / Cree · 封装：440166
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 4.5～6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 12 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 120 V，采用 440166 封装。NPT2021
MACOM · 封装：TO-272
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 2.5 GHz、技术 GaN Si、晶体管类型 HEMT、增益 14.2 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 TO-272 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。