Qorvo
T1G2028536-FL
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 2 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、增益 20.8 dB、晶体管极性 N-Channel。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Qorvo
- 产品类别
- 射频结型场效应晶体管
- 产品系列
- T1G
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 托盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
17 项参数- 晶体管类型
- HEMT
- 技术
- GaN SiC
- 增益
- 20.8 dB
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 36 V
- 栅源击穿电压（Vgs）
- 145 V
- 连续漏极电流（Id）
- 24 A
- 输出功率
- 260 W
- 最大漏栅电压
- 48 V
- 最大工作温度
- + 275 C
- 耗散功率（Pd）
- 288 W
- 配置
- Single
展开更多参数（5 项）
- 工作频率
- 2 GHz
- 产品
- RF Power Transistor
- 类型
- GaN SiC HEMT
- 湿敏性
- 是
- 型号别名
- 1111394
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。