MACOM
NPTB00004A
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 6 GHz、技术 GaN Si、晶体管类型 HEMT、增益 16 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V，采用 SOIC-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- MACOM
- 产品类别
- 射频结型场效应晶体管
- 封装
- SOIC-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 托盘
技术参数
13 项参数- 晶体管类型
- HEMT
- 技术
- GaN Si
- 增益
- 16 dB
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 100 V
- 连续漏极电流（Id）
- 1.4 A
- 最大工作温度
- + 200 C
- 耗散功率（Pd）
- 11.6 W
- 工作频率
- 6 GHz
- 湿敏性
- 是
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 1.6 Ω
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- - 1.6 V
展开更多参数（1 项）
- 单件重量
- 0.007760 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。